전자공학 및 알고리즘

이전에 3장에서 정의 했던 평형상태에서의 캐리어 농도와 페르미 에너지에 관해 배우는 Chapter입니다. 전자와 정공의 농도를 나타낼 때, 어떠한 원리가 필요한지와 해당 원리를 사용한 식들로 인해 최종 농도식을 이해해주시면 됩니다.  열평형 상태의 전자와 정공의 농도를 n0, p0라고 합니다. 열평형 상태에서의 n0와 p0의 곱이 어떠한 식이 되는지,식에서 밴드갭 에너지가 있다는 것이 어떠한 의미를 갖는지를 생각하면서 봐주시면 됩니다. 페르미 준위의 위치에 따라서 농도의 변화도 유의 깊게 봐주시면 됩니다.   진성 캐리어 농도를 의미하는 ni가 no, po와 어떠한 관계인지를 이해해주시면 됩니다.  진성 반도체를 외인성 반도체로 만드는 도펀드(도너 및 억셉터)는 중요한 내용입니다.각각 도너, 억셉터가 몇..

이전의 내용에서 이어집니다.    에너지 밴드 구조에서 곡률이 클수록 유효 질량은 작고, 곡률이 작을수록 유효 질량은 큽니다.이를 직관적으로 이해하기 위해 E-k 다이어그램 상에서 곡률과 유효 질량의 관계를 나타낸 그래프를 확인해두면 좋습니다.그리고 이어서,직접 밴드갭 (Direct Bandgap) 과 간접 밴드갭 (Indirect Bandgap) 특성도 중요합니다.직접 밴드갭: 전도대의 최소 에너지점과 가전자대의 최대 에너지점이 같은 k-값에 위치 → 전자-정공 재결합 확률 높음, 광학 소자에 유리간접 밴드갭: 전도대 최소와 가전자대 최대가 서로 다른 k-값에 위치 → 광학적 재결합 효율은 낮지만, 공정성, 가공성, 안정성에서 이점→ Si(실리콘)은 대표적인 간접 밴드갭 물질로, 전자기기 제조에 널리 ..