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전자공학 및 알고리즘
물리전자 Chapter4 - 평형상태의 캐리어 농도와 페르미 에너지(1) 본문
이전에 3장에서 정의 했던 평형상태에서의 캐리어 농도와 페르미 에너지에 관해 배우는 Chapter입니다.
전자와 정공의 농도를 나타낼 때, 어떠한 원리가 필요한지와 해당 원리를 사용한 식들로 인해 최종 농도식을 이해해주시면 됩니다.

열평형 상태의 전자와 정공의 농도를 n0, p0라고 합니다. 열평형 상태에서의 n0와 p0의 곱이 어떠한 식이 되는지,
식에서 밴드갭 에너지가 있다는 것이 어떠한 의미를 갖는지를 생각하면서 봐주시면 됩니다.
페르미 준위의 위치에 따라서 농도의 변화도 유의 깊게 봐주시면 됩니다.

진성 캐리어 농도를 의미하는 ni가 no, po와 어떠한 관계인지를 이해해주시면 됩니다.

진성 반도체를 외인성 반도체로 만드는 도펀드(도너 및 억셉터)는 중요한 내용입니다.
각각 도너, 억셉터가 몇족 원소인지, 어떠한 type의 반도체를 만드는지, 어떠한 고정 전하를 생성하는지는 매우 중요한 내용이니 꼭 기억해주시길 바랍니다.

전체 내용은 아래의 PDF를 참고해주세요.
4단원_복습.pdf
11.53MB
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